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场效应MOS管HUF76132P3参数

PD最大耗散功率:120WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF76132P3是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF76132P3在电源管理系统中表现出色,尤其是在开关电源和DC-DC转换器中,因其低导通电阻和快速切换特性,有效提高系统效率并减少功耗。

    2. 电动工具:在电动工具中,HUF76132P3凭借其高电流处理能力和坚固的设计,能够提供稳定的电源控制,确保工具的长时间可靠运行。

    3. 汽车电子:HUF76132P3在汽车电子中用于电机控制、灯光控制和电源分配模块,具有耐高温、耐高压的特点,适合汽车苛刻的工作环境。

    4. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,HUF76132P3用于驱动电机和控制高功率负载,其高可靠性和长寿命确保系统的稳定运行。

    5. 通信设备:HUF76132P3在通信基站和网络设备中用作功率放大器和电源管理组件,帮助设备实现高效能和低噪声运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF76132P3的导通电阻仅为0.014欧姆,这意味着在工作过程中产生的损耗极低,提高了整体效率。

    - 高电流处理能力:HUF76132P3能够处理高达80安培的电流,这使得它在需要高电流驱动的应用中表现优异。

    - 耐高压:HUF76132P3具有60伏的击穿电压,适合高压环境下的应用,能够在严苛的工作条件下保持稳定。

    - 快速切换速度:HUF76132P3的开关速度极快,其典型的开通时间和关断时间分别为27纳秒和52纳秒,这对于高频应用尤其重要。

    - 高功率密度:得益于其紧凑的封装和高效的散热设计,HUF76132P3在小体积内实现了高功率输出,适用于需要节省空间的设计。

    综上所述,HUF76132P3的优越性能使其在各种严苛的应用中都能表现出色,其高效、稳定和耐用的特性广受业界好评。在选择功率MOSFET时,HUF76132P3无疑是一个值得信赖的高性能选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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