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场效应MOS管HUF75842P3参数

PD最大耗散功率:230WID最大漏源电流:43AV(BR)DSS漏源击穿电压:150VRDS(ON)Ω内阻:0.042ΩVRDS(ON)ld通态电流:43AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75842P3是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):HUF75842P3在开关电源中,经常被用作高效的开关元件。由于其低导通电阻和高电流处理能力,它能够在高频率下高效地转换电能,减少功率损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动器:在电机驱动应用中,HUF75842P3可以用作控制电机转速和方向的功率元件。其高耐压和大电流能力使其适用于多种电机类型,包括直流电机和无刷直流电机。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,HUF75842P3被用于将直流电转换为交流电。这种应用需要元件具备高效率和低损耗的特性,以最大化太阳能系统的输出功率。

    4. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,HUF75842P3可以用于电池的充放电控制。其高效的开关特性和低导通电阻有助于提高电池系统的充放电效率,延长电池寿命。

    5. 功率放大器:在音频和射频功率放大器中,HUF75842P3被用作功率放大元件。其高频性能和低失真特性使其适合高保真音频放大和射频信号放大应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF75842P3的导通电阻非常低,典型值为11毫欧。这意味着在导通状态下,电能损耗极低,提高了整体系统的效率。

    - 高击穿电压(BVDSS):HUF75842P3的击穿电压高达150伏,确保其在高压环境下能够稳定运行,不易发生击穿损坏。

    - 大电流处理能力:HUF75842P3能够处理高达75安培的连续电流,适合需要大电流处理能力的应用,如电机驱动和电源转换。

    - 快速开关速度:HUF75842P3具有快速的开关速度,使其在高频应用中能够快速响应,减少开关损耗和热量积累。

    - 热阻低:HUF75842P3具备较低的热阻特性,这有助于快速散热,确保器件在高功率工作条件下保持较低的结温,延长其使用寿命。

    通过以上参数特点和应用场景的详细描述,可以看出HUF75842P3在各种高效能和高可靠性的电力电子设备中发挥着重要作用。其优异的电气性能和机械特性使其成为电源管理、电机控制和高频开关应用的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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