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场效应MOS管HUF75645P3参数

PD最大耗散功率:310WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.0141ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75645P3是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF75645P3常用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和电池管理系统(BMS)中。它在这些系统中充当开关元件,帮助实现高效的电能转换和分配。

    2. 电机驱动器:在工业和消费电子中,电机驱动器需要高效且可靠的MOSFET来控制电机的启动和运行。HUF75645P3凭借其低导通电阻和高电流处理能力,非常适合此类应用。

    3. 光伏逆变器:太阳能光伏系统需要将直流电转换为交流电,逆变器中的MOSFET需要具备高效率和高可靠性。HUF75645P3在这种环境中表现出色,能够显著提高系统的整体效率。

    4. 汽车电子:现代汽车中有许多电子控制单元(ECU)依赖于MOSFET进行电流控制。HUF75645P3常用于电动汽车的电池管理系统、车载充电器以及动力传动系统中,提供可靠的性能和高效的功率管理。

    5. 负载开关和保护电路:HUF75645P3也适用于负载开关和保护电路,通过其快速响应时间和低导通电阻,确保系统在高负载和短路情况下的安全运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF75645P3的导通电阻非常低,这意味着在导通状态下,电流通过时的功率损耗较小,提高了整体系统的效率。例如,其典型导通电阻为0.014欧姆。

    - 高电流处理能力:HUF75645P3能够处理高达75A的连续电流,使其适合高电流应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 耐高压能力:HUF75645P3的漏源击穿电压(VDSS)为55V,能够在较高电压下安全运行,这对于需要处理较高电压的电源和电机控制应用非常重要。

    - 快速开关速度:HUF75645P3的栅极电荷(Qg)较低,约为65nC,这使其能够快速切换,有助于提高开关电源和电机驱动器的效率和性能。

    - 高可靠性:HUF75645P3经过严格的可靠性测试,具有高耐用性和长寿命,能够在苛刻的环境中稳定运行。这使其在汽车电子和工业控制等领域广受欢迎。

    综上所述,HUF75645P3凭借其优异的电气性能和高可靠性,在电源管理、电机驱动、光伏逆变器、汽车电子以及负载开关等应用中展现了卓越的性能和广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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