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场效应MOS管HUF75345P3参数

PD最大耗散功率:325WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.007ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75345P3是一种高效能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,HUF75345P3经常用作开关元件。其低导通电阻和高电流承载能力,使其能够在高效能电源转换器中发挥重要作用,提升整体系统的能效。

    2. 电机驱动:HUF75345P3在电机驱动控制电路中应用广泛。由于其快速开关特性和高耐压性能,能够有效控制电机的启动和运行,确保电机工作稳定,减少功耗。

    3. 照明系统:在LED照明系统中,HUF75345P3可用于驱动和调光电路。其高效的电流控制能力,有助于提升LED的亮度和寿命,同时实现高效节能。

    4. 汽车电子:汽车电子系统中,HUF75345P3常用于电子控制单元(ECU)和各种传感器接口。其高可靠性和耐高温特性,能够适应汽车复杂的工作环境,提高整车的电子性能。

    5. 工业控制:在工业自动化控制系统中,HUF75345P3可用于各种驱动和控制电路,如PLC、变频器等。其稳定性和高效能,能保障工业设备的长期可靠运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on))低:HUF75345P3的典型导通电阻仅为0.004欧姆,极低的导通电阻意味着在开关状态下,能够有效降低电能损耗,提高电路效率。

    - 高电流承载能力:HUF75345P3的最大连续漏极电流(Id)可达110安培,这使其在高电流应用中具有明显的优势,如电机驱动和电源管理系统。

    - 耐高压特性:HUF75345P3的漏源击穿电压(Vds)高达75伏特,能够在较高电压环境下稳定工作,适应更多高压应用场景。

    - 快速开关速度:HUF75345P3的开关时间非常短,开通延迟时间(td(on))仅为30纳秒,关断延迟时间(td(off))为100纳秒。这种快速开关特性,使其在高频率开关应用中能够有效减少开关损耗。

    - 低栅极电荷(Qg):HUF75345P3的栅极电荷仅为140纳库仑,低栅极电荷特性,使其在驱动时所需的能量更低,提高了驱动电路的整体效率。

    综上所述,HUF75345P3以其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压、快速开关速度和低栅极电荷等参数特点,在电源管理、电机驱动、照明系统、汽车电子和工业控制等多个领域,展现出了卓越的性能和广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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