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场效应MOS管HUF75344P3参数

PD最大耗散功率:285WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.008ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75344P3是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各类电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,HUF75344P3作为功率开关器件使用,能够在高频率下高效转换电能,提供稳定的电压输出。

    2. 电机驱动:由于HUF75344P3具有低导通电阻和高电流处理能力,常用于电机驱动电路,确保电机平稳运行,减少热损耗。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,HUF75344P3用于逆变器电路,通过高效的电能转换,保障电力供应的连续性和稳定性。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,HUF75344P3用于逆变器部分,负责将直流电转换为交流电,提升整体系统效率。

    5. 电动汽车充电桩:HUF75344P3在电动汽车充电桩中用作功率转换器件,支持高效、快速充电,提升充电体验。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):HUF75344P3具有极低的导通电阻,典型值仅为0.016Ω,这意味着在工作过程中产生的电压降很小,从而减少了功率损耗,提高了效率。

    - 高击穿电压:HUF75344P3的击穿电压高达75V,确保其在较高电压条件下依然能够稳定工作,不易损坏。

    - 高电流处理能力:该器件能够处理高达75A的连续电流,非常适合大电流应用场景,如电机驱动和电源转换。

    - 快速开关速度:HUF75344P3的开关速度非常快,具有较短的开关延迟时间,这对于高频开关应用(如开关电源)是至关重要的,能够有效提高系统效率。

    - 低栅极电荷(Qg):低栅极电荷使得HUF75344P3在驱动时所需的能量较低,从而减少了驱动电路的功耗,提高整体系统的能效。

    综上所述,HUF75344P3在各种应用场景中表现优异,尤其适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备中。其独特的参数特点使得它在市场上具有较强的竞争力,成为众多工程师的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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