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场效应MOS管HUF75339P3参数

PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:75AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.012ΩVRDS(ON)ld通态电流:75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75339P3是一种常用于电子电路中的N沟道功率MOSFET,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:HUF75339P3经常被用于开关电源中,作为主要的开关元件。其快速的开关速度和低导通电阻使其在高效能转换电源中表现优异,能够大幅减少开关损耗,提高电源效率。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、锂电池工具等设备中,HUF75339P3用于电机驱动电路,确保电机能高效运行,提供稳定的电力输出。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,HUF75339P3起到关键的功率转换和控制作用。其高电流处理能力和低导通电阻确保UPS系统能在电力中断时迅速切换到备用电源。

    4. 太阳能逆变器:HUF75339P3在太阳能逆变器中被广泛应用,利用其高效的电能转换能力,提高太阳能系统的整体效率,确保稳定的电力输出。

    5. 汽车电子:在现代汽车中,HUF75339P3被用于电机驱动、电源管理等系统,提供高效能和高可靠性的电子控制解决方案。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:HUF75339P3具有极低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.016欧姆,这意味着在导通状态下其功耗较低,适合高效能应用。

    - 高电流处理能力:HUF75339P3的最大连续漏极电流(ID)为75安培,使其能够处理较大的电流负载,适合高功率应用场景。

    - 耐高压:该器件的最大漏源电压(VDS)为55伏,能够在较高电压环境下稳定工作,适用于需要较高电压驱动的应用。

    - 快速开关速度:HUF75339P3具有较快的开关速度,这使得其在高频应用中能有效减少开关损耗,提升整体效率。

    - 热特性优异:HUF75339P3的结温范围宽广,工作结温可达+175摄氏度,具有良好的热稳定性和散热性能,确保在高温环境下仍能稳定运行。

    通过以上描述,可以看出,HUF75339P3作为一种性能优异的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景和出色的参数特点。在不同的电子电路应用中,其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压、快速开关速度和优异的热特性,使其成为工程师们的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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