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场效应MOS管HUF75321P3参数

PD最大耗散功率:93WID最大漏源电流:35AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.034ΩVRDS(ON)ld通态电流:35AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75321P3是一款功率MOSFET,广泛应用于电动车辆(EV)的电力传输系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电动车辆:HUF75321P3在电动车辆的电动传动系统中扮演着关键角色,用于控制电动机的电力输出,确保高效能转换和驱动系统的稳定性。

    2. 工业自动化:在工业自动化领域,HUF75321P3被广泛应用于各种电动机驱动器中,以实现快速响应和精确控制的功率开关。

    二、参数特点:

    1. 高效能:HUF75321P3具有优异的导通特性和低开关损耗,有效降低能量消耗并提高系统效率。

    2. 高电压容忍:它能够承受较高的电压应力,适合于要求高电压操作的应用环境。

    3. 低导通电阻:低导通电阻减少了功率损耗,并且减少了热量产生,延长了设备的寿命。

    4. 热稳定性:设计上考虑了良好的散热性能,能够在高温环境下稳定工作而不损失性能。

    5. 可靠性:HUF75321P3经过严格的可靠性测试,确保在各种恶劣环境下的长期稳定运行,降低了系统维护成本和故障率。

    总结来说,HUF75321P3作为一款先进的功率MOSFET,不仅在电动车辆领域发挥着关键作用,同时也在工业和商业应用中展现出其稳定性和可靠性的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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