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场效应MOS管HUF75229P3参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:44AV(BR)DSS漏源击穿电压:50VRDS(ON)Ω内阻:0.022ΩVRDS(ON)ld通态电流:44AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    HUF75229P3是一款高性能的功率MOSFET,广泛应用于现代电子设备中,其优秀的参数特点使其在各种应用场景下表现出色。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:HUF75229P3由于其低开关损耗和高效能特性,在笔记本电脑、平板电脑和服务器等设备中广泛应用,提高电源转换效率。

    2. 汽车电子:在车辆的电动驱动和电子控制单元(ECU)中,HUF75229P3提供稳定可靠的功率转换和电流控制,支持车载设备和系统的运行。

    3. 工业自动化:HUF75229P3的高速开关和低导通电阻特性,适合于工业机器人控制和自动化生产线中的电源管理和驱动。

    4. 消费类电子:HUF75229P3在智能手机和家用电器等产品中,以其紧凑的封装设计和优秀的热管理能力,提供稳定性和长寿命。

    二、参数特点:

    - 高效能:HUF75229P3具有优异的功率转换效率,适合于各种功率管理应用。

    - 低开关损耗:这款MOSFET具有低开关损耗特性,有助于减少能源消耗并提升设备效率。

    - 高速开关:HUF75229P3响应速度快,适用于需要快速响应的应用场景。

    - 热管理优异:通过有效的热管理设计,HUF75229P3能在高负载和挑战性环境下保持稳定性能。

    - 高可靠性:经过严格的测试和设计验证,HUF75229P3确保长期稳定运行和可靠性。

    综上所述,HUF75229P3作为一款多功能、高性能的功率MOSFET,不仅在电源管理和汽车电子领域发挥重要作用,也在工业自动化和消费类电子产品中展现出卓越的应用潜力。其稳定性、效率和可靠性特点,使其成为当今电子设备设计中不可或缺的组成部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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