PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:-15AV(BR)DSS漏源击穿电压:-100VRDS(ON)Ω内阻:0.105ΩVRDS(ON)ld通态电流:-7.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~-2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-1000μA
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一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):H7P1002DS常用于开关电源中,作为高效的电源开关器件。它能够在高频率下快速切换,提供高效率的电能转换。由于其低导通电阻和快速的开关速度,能够减少开关损耗,提高整个电源系统的效率和可靠性。
2. 电动工具:在电动工具中,H7P1002DS被用作电机驱动控制器。其高电流处理能力和耐高压特性,使其适合用于高功率电动工具的电源管理,确保电动工具的稳定运行和长寿命。
3. 汽车电子:H7P1002DS广泛应用于汽车电子系统,如电动汽车的动力控制单元、车载充电器和电源管理模块。其高耐压性和低导通电阻,使其在汽车电子领域中能够稳定可靠地工作,提供优异的性能。
4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,H7P1002DS用于逆变器模块中。其高效的开关特性可以提高能量转换效率,确保太阳能电池板产生的直流电能有效转换为交流电,供家庭或工业使用。
5. 便携式设备:H7P1002DS在便携式设备如笔记本电脑、智能手机和移动电源中,作为功率管理和电池保护的关键器件。其低功耗和高效能特性,能够延长电池寿命并确保设备的安全性。
二、参数特点:
- 低导通电阻(RDS(on)):H7P1002DS的低导通电阻使其在导通状态下具有较小的电压降,从而减少功率损耗,提高系统的效率。例如,其典型的导通电阻仅为几毫欧级别,在高电流应用中表现尤为突出。
- 高击穿电压:H7P1002DS具有高击穿电压,一般在600V以上,这使其能够在高压环境下可靠工作,防止因电压过高而损坏。
- 高开关速度:该MOSFET具有快速的开关速度,能够在几纳秒的时间内完成开关动作。这对于高频应用场景如开关电源和高频逆变器非常重要,能够显著提升系统的工作效率。
- 低栅极电荷(Qg):H7P1002DS的低栅极电荷特点,使其在开关时需要的驱动电流较小,从而减小驱动电路的复杂性和功耗,适合在需要高效能的低功耗设备中应用。
- 优异的热性能:H7P1002DS具有良好的热性能,能够在高功率密度应用中有效散热,保证器件在高温环境下的稳定运行。其封装设计优化了散热路径,使其能够处理更高的功率。
综上所述,H7P1002DS以其卓越的电性能和广泛的应用场景,成为众多电子设备中的关键元器件。通过合理利用其特点,可以显著提升系统的效率和可靠性。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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