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场效应MOS管FQU9N25参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:7.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.42ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU9N25是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。其主要应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统和音频放大器。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQU9N25被用作高效开关元件。由于其低导通电阻和快速开关速度,它可以显著提高电源的转换效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FQU9N25用于调节电机的速度和方向。其高耐压和高电流能力使其适用于各种类型的电机驱动应用。

    3. 逆变器:FQU9N25在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中用于将直流电转换为交流电。其高效能和可靠性保证了逆变器的高性能。

    4. 电池管理系统:在电池充电和管理系统中,FQU9N25用于控制充电和放电过程,以保护电池并延长其寿命。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQU9N25用于放大音频信号,其高输入阻抗和低输出阻抗保证了音质的纯净和清晰。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(Vds):FQU9N25的最大漏极-源极电压为250V,这使其适用于高电压应用场景。

    - 最大连续漏极电流(Id):FQU9N25能够承受9A的最大连续漏极电流,适合用于需要高电流的应用如电机驱动和电源管理。

    - 导通电阻(Rds(on):在10V栅极驱动电压下,FQU9N25的导通电阻为0.5Ω,这意味着其在工作时的功率损耗较低,提高了电路的效率。

    - 栅极-源极电压(Vgs):FQU9N25的栅极-源极电压范围为±20V,适应性强,可以满足不同电路设计需求。

    - 工作温度范围:FQU9N25的工作温度范围为-55°C至150°C,保证其在各种严苛环境下的稳定工作。

    - 封装形式:FQU9N25采用了TO-220封装,具有良好的散热性能,方便安装和使用。

    综上所述,FQU9N25作为一种高效能的N沟道功率MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用场景,成为电子和电力系统中的重要组成部分。无论是用于开关电源、电机驱动、逆变器还是电池管理系统,FQU9N25都能提供卓越的性能和可靠性。其参数特点如高耐压、高电流承载能力、低导通电阻和宽工作温度范围,使其在各种应用中表现出色。

    通过对FQU9N25的详细了解,可以更好地发挥其在电路设计和实际应用中的潜力,提高整体系统的效率和稳定性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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