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场效应MOS管FQU7N10L参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU7N10L是一种N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用场景,主要集中在以下几个方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQU7N10L常用于电源管理电路中,如DC-DC转换器和AC-DC适配器中,起到开关调节的作用,确保电源的稳定输出。

    2. 电机驱动:在电机控制电路中,FQU7N10L可用作电机驱动器,特别是在低压驱动应用中表现优异,能够高效控制电机的启动和停止。

    3. 光伏逆变器:在太阳能光伏系统中,FQU7N10L可用作逆变器中的关键开关器件,帮助将直流电转换为交流电,提高系统的转换效率。

    4. 负载开关:FQU7N10L也常用于各种电子设备中的负载开关,能够高效地控制电流的通断,广泛应用于消费电子、家电等领域。

    5. 电池管理系统:在电动汽车和便携设备中,FQU7N10L可用作电池管理系统中的开关元件,有助于电池的充放电控制,提高系统的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FQU7N10L的漏源极耐压(Vds)为100V,适用于高压应用场景,能够承受较高的电压应力。

    - 低导通电阻:其导通电阻(Rds(on))非常低,仅为70毫欧(在10V栅极驱动电压下),这意味着在工作时的功耗较低,效率高。

    - 高电流能力:FQU7N10L的连续漏极电流(Id)为7A,能够处理较大的电流负载,非常适合于大功率应用。

    - 栅极电荷低:其总栅极电荷(Qg)为14.7nC,使得开关速度快,能够提高系统的整体响应速度。

    - 封装类型:FQU7N10L采用DPAK封装,有利于散热并且安装方便,适合于各种电路设计。

    综上所述,FQU7N10L作为一款高性能的N沟道MOSFET,在电源管理、电机驱动、光伏逆变器、负载开关和电池管理系统等多个领域中都有广泛的应用。其高耐压、低导通电阻、高电流能力和低栅极电荷等参数特点,使其在实际应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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