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场效应MOS管FQU7N10参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:5.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.35ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU7N10是一款N沟道功率MOSFET,其广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQU7N10常用于高效电能转换。其低导通电阻和快速开关特性使其在高频率下仍能保持高效能。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQU7N10用于控制电机的启停和调速。其耐高压特性使其能够在电动工具的高电压环境中可靠工作。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,FQU7N10用于电池的充放电控制,确保电池工作在安全和高效的状态。

    4. DC-DC转换器:FQU7N10在DC-DC转换器中充当开关元件,帮助实现不同电压等级之间的高效转换。

    5. 照明控制:在LED驱动电路中,FQU7N10用于调节LED的亮度和开关,其高效能和可靠性确保了照明设备的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQU7N10的导通电阻(RDS(on))非常低,这意味着在导通状态下,其能量损耗较小,提升了整体系统的效率。

    - 耐高压:FQU7N10的漏源极电压(VDSS)高达100V,使其能够在高压环境下工作而不易击穿。

    - 高电流能力:FQU7N10的最大漏极电流(ID)为7A,这使其能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:FQU7N10具有快速的开关速度,这对于高频开关电路尤为重要。其栅极电荷(Qg)较低,确保了在高频应用中仍能高效工作。

    - 热性能良好:FQU7N10的热阻(RθJC)较低,这意味着在高功率工作状态下,其散热性能良好,有助于提高器件的可靠性和使用寿命。

    综上所述,FQU7N10以其低导通电阻、耐高压、高电流能力、快速开关速度和良好的热性能,成为各种高效能和高可靠性电子应用中的理想选择。无论是在开关电源、电动工具、电池管理系统、DC-DC转换器还是照明控制中,FQU7N10都能发挥重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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