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场效应MOS管FQU5P20参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:-3.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:-200VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.85AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQU5P20是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电子设备的各个领域。它具有低导通电阻和高速度开关特性,因此在多个场景中非常适用。本文将详细介绍FQU5P20的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源转换和电源管理系统中,FQU5P20常被用作开关器件。其低导通电阻使其能够高效地传输电能,同时减少能量损失。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,FQU5P20可以用来控制电流,提供高效、可靠的电机驱动解决方案。它的高速度开关特性使其能够精确控制电机速度和方向。

    3. 负载开关:FQU5P20常用于开关各种电子负载,如LED灯、加热器和其它电子元件。它能够提供快速响应时间和高效率,确保负载开关操作的稳定性。

    4. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQU5P20作为主要开关元件,帮助实现高效的电压转换。其高开关频率和低损耗特性,使其在高效能量转换应用中表现出色。

    5. 音频放大器:在音频设备中,FQU5P20用于放大音频信号,提供清晰、高质量的音频输出。其低失真和高效率特性,使其在音频应用中备受青睐。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQU5P20的最大导通电阻仅为0.055Ω,意味着它在导通状态下能够有效地减少电能损耗,提高系统的整体效率。

    - 高漏极电流(ID):FQU5P20能够承受的最大漏极电流为20A,这使其适用于需要大电流传输的应用,如电机驱动和电源管理。

    - 高击穿电压(VDSS):FQU5P20的击穿电压为200V,确保其在高电压环境下仍能稳定工作,不易击穿损坏。

    - 快速开关速度:FQU5P20的开关时间极短,这使其在高速开关应用中能够提供快速响应和精确控制,适用于高频率的电源转换和信号调制。

    - 耐热性能:FQU5P20具有良好的热稳定性,其最大结温为150°C,这意味着它在高温工作环境下仍能保持可靠性和稳定性。

    综上所述,FQU5P20凭借其优越的参数特点和广泛的应用场景,在现代电子设备中发挥着重要作用。其低导通电阻、高漏极电流、高击穿电压以及快速开关速度,使其成为电源管理、电机驱动、负载开关、DC-DC转换器和音频放大器等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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