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场效应MOS管FQU5N60C参数

PD最大耗散功率:49WID最大漏源电流:2.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU5N60C是一款广泛应用于各种电子电路中的N沟道功率MOSFET。其高耐压特性和低导通电阻使其在多个领域具有广泛的应用。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQU5N60C常用于功率开关管。这种应用要求MOSFET具有高耐压和快速开关速度,以提高电源效率和可靠性。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQU5N60C用于控制电流的通断,从而调节电机的速度和方向。其低导通电阻和高耐压特性能够满足高功率电机驱动的需求。

    3. 照明电路:在LED驱动电路中,FQU5N60C可以作为开关元件,用于调节电流,确保LED的稳定工作和长寿命。

    4. 逆变器:在太阳能和风能逆变器中,FQU5N60C常用于直流转交流的电路部分,其高耐压和高效率特性能够有效提升逆变器的性能。

    5. 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,FQU5N60C用于控制充放电过程,保护电池的安全和延长寿命。其低导通电阻和高耐压特性使其能够在高功率应用中表现出色。

    二、参数特点:

    - 耐压(Vds):FQU5N60C具有600V的高耐压能力,这使得它能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on):FQU5N60C的导通电阻典型值为1.2Ω,这种低导通电阻确保了在高电流下的低功耗,提高了整体电路的效率。

    - 最大电流(Id):FQU5N60C能够承受5A的最大连续漏极电流,适用于中高功率的应用环境,能够满足多种功率需求。

    - 栅极电荷(Qg):FQU5N60C的典型栅极电荷为20nC,这使得其在高速开关应用中具有较低的开关损耗,提高了开关效率。

    - 热阻(RθJC):FQU5N60C的结到壳热阻为1.2°C/W,良好的散热性能使其在高功率应用中能够有效地管理热量,保持器件的稳定工作。

    综上所述,FQU5N60C凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热管理性能,成为了多种高功率电子应用中的理想选择。其在开关电源、电机驱动、照明电路、逆变器和电池管理系统中的广泛应用,充分展示了其优越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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