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场效应MOS管FQU4P25参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:-3.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-250VRDS(ON)Ω内阻:2.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.55AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQU4P25是一种P沟道MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQU4P25在电源管理电路中扮演重要角色,尤其是在DC-DC转换器中,用于控制电流的流向和开关电路的导通与关断。这种应用能够提升电源效率,减少能源浪费。

    2. 电机驱动:在电机驱动器中,FQU4P25可以用于控制电机的启动和停止,通过调节电流,实现精确的电机控制。这对于需要精密控制的设备如机器人、自动化机械等非常重要。

    3. 负载开关:FQU4P25常用于作为负载开关,能够有效地控制负载设备的开关状态,保证设备在不工作时断电,以节约能源,延长设备寿命。

    4. 保护电路:在过流保护和过压保护电路中,FQU4P25能够快速响应异常情况,切断电路,保护敏感元件免受损坏。这种应用在电池保护电路中尤为常见。

    5. 音频设备:在高保真音频放大器中,FQU4P25可以用于输出级放大电路,保证音频信号的高保真传输,提供卓越的音质体验。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(V_DS):FQU4P25的最大漏源电压为-250V,这使得它适用于高电压应用场景,能够承受较高的工作电压而不容易击穿。

    - 导通电阻(R_DS(on)):该器件的导通电阻低至0.65Ω,意味着在导通状态下,FQU4P25可以提供低阻抗路径,减少功率损耗,提高电路效率。

    - 漏极电流(I_D):FQU4P25的最大连续漏极电流为-4A,这表明它可以处理较大的电流负载,适用于大功率应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 栅极阈值电压(V_GS(th)):FQU4P25的栅极阈值电压在-2V至-4V之间,这个参数决定了它的开启和关闭电压范围,使其能够在较低的栅极电压下工作,适合低压控制系统。

    - 封装类型:FQU4P25采用TO-220封装,这种封装方式具有良好的散热性能和机械强度,适合需要高散热和坚固性要求的应用环境。

    综上所述,FQU4P25凭借其出色的电气参数和可靠的性能,在电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路以及音频设备等多个领域中具有广泛的应用前景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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