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场效应MOS管FQU3P50参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-2.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:-500VRDS(ON)Ω内阻:4.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.05AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQU3P50是一款高性能的场效应晶体管(FET),在许多应用场景中发挥着重要作用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQU3P50在电源管理系统中被广泛使用,尤其是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中。其高效能和低导通电阻确保了能量的高效转换和传输,减少了能量损失,提高了系统的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FQU3P50用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和高电流承载能力使其能够有效地驱动各种类型的电机,包括直流电机和无刷直流电机。

    3. 照明系统:在LED照明系统中,FQU3P50用于恒流驱动电路,确保LED灯的稳定工作。其高可靠性和低功耗特性使其成为照明系统中理想的选择。

    4. 音频放大器:FQU3P50也被用于音频放大器中,作为输出级的功率放大元件。其线性特性和高增益使其在高保真音频放大应用中表现优异,能够提供清晰、低失真的音质。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQU3P50用于控制直流到交流电的转换。其高效率和高耐压特性确保了太阳能系统的稳定运行,最大化地利用太阳能资源。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):FQU3P50的最大漏源电压为500V,这使其能够在高电压应用中安全运行,适用于各种高压电路设计。

    - 导通电阻(RDS(on)):其导通电阻非常低,典型值为1.5Ω。这意味着在开通状态下,FQU3P50能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

    - 漏极电流(ID):FQU3P50的最大连续漏极电流为2.3A,这使其能够承载较大的电流,适用于需要高电流驱动的应用场景。

    - 栅极电荷(QG):该器件的栅极电荷较低,典型值为22nC。这意味着FQU3P50能够快速开关,有助于提高电路的开关频率和响应速度。

    - 热阻(RθJA):其结到环境的热阻为62.5°C/W,这使FQU3P50在高功率应用中能够有效散热,维持稳定的工作温度,确保可靠性。

    综上所述,FQU3P50是一款高性能的场效应晶体管,在各种高效、高可靠性的电子设备中发挥着重要作用。这些特性确保了其在电源管理、电机驱动、照明系统、音频放大器以及太阳能逆变器等多种应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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