收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQU3N50C参数

场效应MOS管FQU3N50C参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:2.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQU3N50C是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源 (SMPS):在开关电源中,FQU3N50C用作主开关器件,负责高效地将直流电转换为所需的电压和电流。这种转换需要高效、快速的开关特性,而FQU3N50C的低导通电阻和高开关速度正好满足这一需求。

    2. 电机驱动:在电动机驱动应用中,FQU3N50C可以作为H桥电路的一部分,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流处理能力和高耐压特性使其非常适合此类应用。

    3. 照明系统:尤其是LED照明系统中,FQU3N50C常用作LED驱动器的开关元件。它能够提供稳定的电流输出,确保LED的亮度一致并延长其使用寿命。

    4. 电池管理系统 (BMS):在电动汽车和储能系统中,FQU3N50C被用于电池管理系统中,进行电池充电和放电控制,确保电池在安全的电压和电流范围内工作。

    5. 逆变器和UPS系统:在不间断电源 (UPS) 和逆变器系统中,FQU3N50C被用作逆变器开关器件,能够高效地将直流电转换为交流电,为各种设备提供稳定的电力供应。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQU3N50C的漏源极最大电压(Vds)为500V,这意味着它可以在高电压环境下安全工作,不易击穿,非常适合高压应用。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))为3.0Ω,这在功率MOSFET中属于较低水平,有助于降低导通损耗,提高整体效率。

    - 电流处理能力:FQU3N50C的连续漏极电流(Id)为3A,这表明它能够处理较大的电流,适合大功率负载应用。

    - 开关速度:该器件具有快速开关特性,其典型的栅极电荷(Qg)为32nC,这使得其能够快速响应输入信号,适用于高频开关电路。

    - 封装形式:FQU3N50C采用TO-220封装,这种封装形式具有优良的散热性能,便于安装和散热管理,适用于需要高可靠性和长寿命的应用场合。

    综上所述,FQU3N50C凭借其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性,成为许多高性能电力电子系统的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、照明系统、电池管理系统还是逆变器和UPS系统中,FQU3N50C都表现出色,提供可靠且高效的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号