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场效应MOS管FQU30N06L参数

PD最大耗散功率:44WID最大漏源电流:24AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.039ΩVRDS(ON)ld通态电流:12AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU30N06L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电气设备中。由于其卓越的性能特点,使其在多个应用场景中具有重要地位。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQU30N06L常用于开关电源和DC-DC转换器中。它的低导通电阻和高效率使其在提高电源效率和减少热量产生方面表现出色。

    2. 电动机控制:在电动机驱动和控制电路中,FQU30N06L可作为开关元件来控制电动机的启动、停止和速度调节,提供稳定和高效的运行效果。

    3. 汽车电子:FQU30N06L被广泛应用于汽车电子系统,如电子控制单元(ECU)、电动窗、车灯控制等。其高可靠性和耐高温性能能够满足汽车电子系统的严格要求。

    4. 消费电子:在各种消费电子产品如电视、音响系统和家用电器中,FQU30N06L可用作功率开关,保证设备的稳定运行和长使用寿命。

    5. 工业自动化:FQU30N06L在工业自动化设备中也有重要应用,如PLC控制器、机器人控制系统等,提供高效、可靠的功率转换和控制功能。

    二、参数特点:

    - 导通电阻 (RDS(on)):FQU30N06L的最大导通电阻为30mΩ,这意味着在导通状态下,该器件的功耗较低,有助于提高系统的效率并减少热量产生。

    - 击穿电压 (VDSS):该器件的击穿电压为60V,使其适用于需要高电压耐受能力的应用场景,如电源管理和电动机控制。

    - 最大漏极电流 (ID):FQU30N06L的最大漏极电流为30A,这使得它能够处理较大的电流负载,适用于高功率应用。

    - 栅极电荷 (Qg):FQU30N06L的栅极电荷较低,典型值为45nC。这意味着该器件在开关过程中需要较低的驱动能量,有助于提高开关速度和整体效率。

    - 热阻 (RθJA):该器件的热阻为62.5°C/W,有助于在高功率操作中更好地散热,保证器件的稳定性和长寿命。

    通过以上对FQU30N06L应用场景和参数特点的详细介绍,可以看出该器件在多个领域具有广泛的应用和出色的性能表现。其低导通电阻、高击穿电压、大电流处理能力和优良的热性能,使其成为电源管理、电动机控制、汽车电子、消费电子和工业自动化等领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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