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场效应MOS管FQU2N90参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:1.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:7.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.85AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU2N90是一种N沟道增强型功率场效应晶体管,具有耐高压、低导通电阻和高效率等特点,广泛应用于多种电力电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQU2N90被用于高频开关应用,以提高电源效率和减少功率损耗。其高压耐受能力和低导通电阻使其非常适合用于高压输入的电源系统。

    2. 逆变器和变频器:FQU2N90常用于逆变器和变频器电路中,用于将直流电转换为交流电,或调节交流电的频率和幅值。这些设备通常需要高效的开关元件来提高整体性能和可靠性。

    3. 电机驱动器:在电机驱动器中,FQU2N90被用来控制电机的启动、停止和调速。其高效的开关特性和耐高压性能确保了驱动电路的稳定性和可靠性。

    4. 照明设备:在现代LED照明系统中,FQU2N90被用于驱动和控制LED灯具,提供高效的电能转换和稳定的电流输出。

    5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,FQU2N90常用于电池管理系统,帮助监控和管理电池组的充放电过程,提高系统的安全性和效率。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQU2N90的漏源击穿电压(BVDSS)高达900V,使其能够在高压应用中可靠工作。这种高耐压特性使其非常适合用于需要处理高电压的电力电子设备。

    - 低导通电阻:FQU2N90的导通电阻(RDS(on))较低,通常在全导通时约为2.0Ω。这有助于减少导通损耗,提高整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:FQU2N90具有较高的脉冲电流处理能力,可以在短时间内承受高达数十安培的脉冲电流,使其在开关电源和电机控制等应用中表现出色。

    - 快速开关速度:FQU2N90具有较快的开关速度,这意味着它可以在较高的开关频率下工作,从而减小开关损耗和提高系统效率。这对于高频应用如开关电源和逆变器来说尤为重要。

    - 热性能:FQU2N90设计上注重热性能管理,其结温(Tj)最高可达150°C。这使其在高功率、高温环境下仍能稳定运行,确保设备的可靠性和寿命。

    综上所述,FQU2N90在电力电子领域有着广泛的应用,其出色的参数性能使其成为许多高压、高效应用的首选元件。无论是在开关电源、逆变器、电机驱动器还是照明设备中,FQU2N90都展现出了其独特的优势和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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