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场效应MOS管FQU1N60C参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:11.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU1N60C是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQU1N60C在开关电源中作为高效开关元件使用,能够在高频下进行快速开关操作,从而提高电源效率并减少功耗。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQU1N60C常用于控制电动机的启动和停止,由于其高击穿电压和低导通电阻,能够有效提升工具的可靠性和耐用性。

    3. 照明设备:LED驱动电路中,FQU1N60C作为调光和电流控制元件使用,帮助实现高效节能的照明解决方案。

    4. 逆变器:在光伏逆变器和其他电力转换设备中,FQU1N60C用于直流到交流电的转换过程,其高效率和低损耗特性使其成为理想选择。

    5. 电源管理系统:FQU1N60C在电源管理系统中作为电压调节和保护元件,确保系统在各种负载条件下保持稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQU1N60C的漏源击穿电压为600V,这使其能够在高电压应用中安全可靠地工作,适用于需要高耐压特性的电路。

    - 低导通电阻:在Vgs=10V时,FQU1N60C的导通电阻仅为1.6Ω,这意味着它在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升整体电路的效率。

    - 高脉冲电流能力:FQU1N60C能够承受高达4A的脉冲电流,这对于需要处理大电流的应用(如电动机控制)来说是一个重要特性。

    - 快速开关速度:FQU1N60C的开关速度非常快,具有较短的上升和下降时间,这对于高频开关应用(如开关电源)来说非常关键,有助于减少开关损耗。

    - 热性能良好:FQU1N60C具有较低的热阻,能够在高功率情况下有效散热,保证器件的稳定性和长寿命。

    综上所述,FQU1N60C由于其高击穿电压、低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度以及良好的热性能,成为多种高效电子设备和电路设计中的关键元件。通过详细理解和应用这些特点,可以更好地优化设计并提升系统性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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