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场效应MOS管FQU17P06参数

PD最大耗散功率:44WID最大漏源电流:-12AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.135ΩVRDS(ON)ld通态电流:-6AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-2~-4VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQU17P06是一种常见的P沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备中,特别是在电源管理和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQU17P06常用于高效能量传输,能有效减少能量损耗,提高转换效率。

    2. 电池保护电路:由于其低导通电阻和高耐压特性,FQU17P06非常适合用于锂离子电池的保护电路中,确保电池在充放电过程中的安全性。

    3. 电动工具:在电动工具的电源管理系统中,FQU17P06用于控制电机的启动和停止,提供可靠的电流控制和保护功能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQU17P06负责转换直流电到交流电,确保稳定的电力输出和高转换效率。

    5. 汽车电子:FQU17P06也广泛应用于汽车电子中,如电子控制单元(ECU)和电源管理模块,提供稳定的电流控制和高效能量管理。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQU17P06的导通电阻典型值为0.085欧姆,这确保了在导通状态下的低功耗和高效能量传输。

    - 高耐压能力:FQU17P06具备60V的耐压能力,适合用于多种高电压应用场景,提供更高的电压稳定性和安全性。

    - 大电流能力:FQU17P06的最大连续漏极电流为17A,能够处理高电流负载,适用于高功率应用。

    - 快速开关速度:FQU17P06具有快速的开关速度,能够在高频操作中提供更低的开关损耗,提高整体系统效率。

    - 增强型P沟道结构:FQU17P06采用增强型P沟道MOSFET结构,具有更高的电子迁移率和更低的开关损耗,确保在各种工作条件下的稳定性能。

    综上所述,FQU17P06凭借其低导通电阻、高耐压能力、大电流处理能力、快速开关速度以及增强型P沟道结构,在电源管理、开关电路和高效能量转换等应用中展现出卓越的性能。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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