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场效应MOS管FQU13N10L参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1-2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU13N10L是一款广泛应用于各种电子设备中的场效应晶体管(MOSFET)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQU13N10L在电源管理系统中发挥着关键作用,特别是在开关电源和DC-DC转换器中。它的高效率和低导通电阻特点使其能够在高频开关模式下运行,从而减少能量损耗,提高系统整体效率。

    2. 电动汽车和新能源设备:在电动汽车和新能源设备中,FQU13N10L常用于电池管理系统和电动机控制电路中。其高耐压和大电流处理能力,使其能够承受电动汽车中的严苛工作环境,确保系统的稳定性和安全性。

    3. 消费电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,FQU13N10L被用于电池保护电路、快充电路等。它的快速开关特性和低功耗特点,能够有效延长设备的续航时间并提升充电速度。

    4. 工业控制系统:在各种工业自动化设备中,FQU13N10L被广泛用于电机驱动、PLC控制器和工业电源中。其高可靠性和长寿命使其在苛刻的工业环境中依然能保持稳定工作。

    5. 通信设备:在基站和服务器等通信设备中,FQU13N10L被用于电源模块和信号放大器中。其优异的电气性能能够确保通信设备的高效、稳定运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压:FQU13N10L的最大耐压为100V,能够承受高电压环境下的工作需求,适用于多种高压应用场景。

    - 低导通电阻:其典型的导通电阻(RDS(on))为13毫欧,能够显著降低导通损耗,提高系统效率,特别是在高电流应用中表现优异。

    - 大电流处理能力:FQU13N10L能够处理的连续漏极电流(ID)高达75A,适合用于需要大电流传输的电路中。

    - 快速开关速度:其开关速度非常快,适用于高频应用,能够在开关电源和高频转换器中有效减少开关损耗。

    - 热特性:FQU13N10L具有优良的热特性,其结-壳热阻(RθJC)低至0.5℃/W,能够高效散热,确保器件在高功率工作时的稳定性。

    综上所述,FQU13N10L在各种应用场景中具有广泛的适用性和优异的性能,其高耐压、低导通电阻、大电流处理能力、快速开关速度以及优良的热特性,使其成为电源管理、电动汽车、消费电子、工业控制和通信设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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