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场效应MOS管FQU10N20C参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:7.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.36ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQU10N20C是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:FQU10N20C常用于DC-DC转换器和AC-DC适配器中,因其低导通电阻和快速开关速度,使得转换效率更高,从而减少了能源消耗。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQU10N20C的高电流处理能力和耐高压特性,使其成为理想的选择,能够提供稳定的电源供应,确保工具的高性能运作。

    3. 家电设备:在洗衣机、空调和冰箱等家电设备中,FQU10N20C用于电机驱动和功率控制电路,保证设备的稳定运行和能效提升。

    4. 汽车电子:FQU10N20C在汽车电子中的应用包括电池管理系统、照明系统和发动机控制单元,其高可靠性和耐高温性能,满足汽车环境的苛刻要求。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能发电系统中,FQU10N20C用于逆变器和功率调节器,以提高能源转换效率和系统可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):FQU10N20C的导通电阻仅为0.125欧姆,这意味着在工作时损耗较小,能量效率高,有助于降低系统的整体功耗。

    - 高电流处理能力:其最大连续漏极电流为10安培,使其能够处理高电流负载,适用于需要高功率传输的应用场景。

    - 耐高压:FQU10N20C的漏源击穿电压为200伏,能够承受较高的电压,适用于电源管理和工业控制等需要耐高压的应用。

    - 快速开关速度:其开关速度快,有助于提高系统的工作频率,降低开关损耗,适用于高频率的开关电源和逆变器。

    - 热性能优异:FQU10N20C的热阻低,能够有效散热,保证在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    综上所述,FQU10N20C凭借其优异的电性能和热性能,广泛应用于各种需要高效能和高可靠性的电子设备和电源管理系统中,是一款非常优秀的功率MOSFET元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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