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场效应MOS管FQPF9P25参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:-6AV(BR)DSS漏源击穿电压:-250VRDS(ON)Ω内阻:0.62ΩVRDS(ON)ld通态电流:-3AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQPF9P25是一款P沟道功率MOSFET,具有多种广泛的应用场景。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在现代电源管理系统中,FQPF9P25常被用于开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)等。其高效率和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择,能够有效地管理电能的分配和转换。

    2. 电动工具:由于FQPF9P25具有高电流处理能力和良好的开关性能,它被广泛应用于电动工具中,确保这些工具在高负载情况下仍能稳定运行。

    3. 汽车电子:在汽车电子领域,FQPF9P25被用于电机驱动、车载充电器、车载娱乐系统等。它的高耐压和高电流特性使其能够在苛刻的汽车环境中可靠地工作。

    4. 消费电子产品:FQPF9P25广泛应用于智能手机、笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品中,用于电源管理和电池保护,确保这些设备的安全性和可靠性。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,FQPF9P25用于电机控制、继电器驱动、逆变器等应用。它的高开关速度和低损耗特点,能够提升工业设备的性能和效率。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDS):FQPF9P25的最大漏源电压为250V,这意味着它能够在高电压环境下可靠运行,不易击穿。

    - 最大连续漏极电流(ID):FQPF9P25在25°C的环境下,最大连续漏极电流为9A,能够处理较大的电流需求,适合高功率应用。

    - 栅极阈值电压(VGS(th)):FQPF9P25的栅极阈值电压在-1.0V到-3.0V之间,使其在低电压控制下即可开启,非常适合低压逻辑电路控制。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF9P25的典型导通电阻为0.3Ω,这使得其在导通状态下具有较低的功率损耗,提升了整体效率。

    - 总栅电荷(Qg):FQPF9P25的总栅电荷为25nC,这表明其具有较快的开关速度,有助于减少开关损耗,提高系统的整体效率。

    通过以上参数特点可以看出,FQPF9P25是一款性能优良的P沟道功率MOSFET,能够满足多种应用场景的需求。在电源管理、电动工具、汽车电子、消费电子和工业控制等领域,FQPF9P25凭借其高耐压、高电流处理能力、低导通电阻和快速开关速度,成为工程师们的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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