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场效应MOS管FQPF9N50CT参数

PD最大耗散功率:44WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF9N50CT是一种功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQPF9N50CT在开关电源中作为高效的开关元件,可以显著提高电源转换效率,减少能量损失。

    2. 电动机控制:在电动机控制系统中,FQPF9N50CT用于调节和控制电动机的工作状态,提供精确的电流控制,保证电动机平稳运行。

    3. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FQPF9N50CT用作逆变器的关键开关元件,帮助将直流电转换为交流电,从而实现高效的能源转换。

    4. 不间断电源(UPS):FQPF9N50CT在UPS系统中用于电池管理和逆变器部分,确保在电源故障时能够提供稳定的备用电源。

    5. LED驱动电路:在LED照明系统中,FQPF9N50CT用于驱动电路中,可以提高LED的工作效率并延长其使用寿命。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQPF9N50CT的耐压值为500V,这使得它能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高电压操作的应用。

    - 低导通电阻:FQPF9N50CT的导通电阻(RDS(on))仅为0.85Ω,这有助于减少功率损耗,提高系统效率。

    - 高开关速度:FQPF9N50CT具有快速开关特性,能够在高频应用中高效运行,适合用于高频开关电源和逆变器中。

    - 出色的热性能:FQPF9N50CT设计具有良好的热管理能力,确保在高功率应用中不会过热,延长器件的使用寿命。

    - 低栅极电荷:FQPF9N50CT具有低栅极电荷(Qg),这使得它在驱动时所需的能量更少,从而提高了整体系统的效率。

    综上所述,FQPF9N50CT凭借其优异的性能参数和广泛的应用场景,是一种非常适合于电源管理、转换和控制系统的功率MOSFET。其高耐压、低导通电阻、高开关速度、良好的热性能和低栅极电荷等特点,使得它在各种复杂应用中都能表现出色,满足不同领域的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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