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场效应MOS管FQPF8N80C参数

PD最大耗散功率:59WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF8N80C是一种功率场效应晶体管(MOSFET),在许多电路中有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:FQPF8N80C能够承受较高的电压和电流,因此常用于电源开关电路中。例如,它可以用于开关模式电源(SMPS)中的主开关。

    2. 电机驱动:由于其低导通电阻和高速开关特性,FQPF8N80C也适合用作电机驱动器的输出级晶体管。这包括直流电机、步进电机等各种类型的电机。

    3. 照明系统:在LED照明系统中,FQPF8N80C可以用作驱动器或调光器的关键部件。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高照明效率。

    4. 逆变器:用于太阳能电池板和风力发电机的逆变器中,FQPF8N80C可以实现直流到交流的转换。其高电压承受能力和低开启电阻使其成为逆变器电路中的理想选择。

    5. 电源管理:在各种电源管理电路中,FQPF8N80C都可以发挥重要作用,如开关稳压器、DC-DC转换器等。

    二、参数特点:

    1. 高电压承受能力: FQPF8N80C具有较高的耐压特性,可承受数十伏至数百伏的电压,使其在高压环境下工作时更为可靠。

    2. 低导通电阻:其低导通电阻有助于减少功率损耗和温升,提高整个电路的效率。这对于需要频繁开关的应用尤为重要。

    3. 快速开关特性:FQPF8N80C具有快速的开关速度,可以在短时间内完成导通和截止状态的转换,有助于提高电路的响应速度。

    4. 热稳定性:它能够有效地散热,降低温度对其性能的影响,从而提高其稳定性和可靠性。

    5. 可靠性:作为一款高品质的功率MOSFET,FQPF8N80C具有良好的可靠性和长期稳定性,适用于各种工业和商业应用场景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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