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场效应MOS管FQPF7N65C参数

PD最大耗散功率:52WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF7N65C是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和不间断电源(UPS)等电源管理系统中,FQPF7N65C常用作开关元件。它的高电压和低导通电阻特性使其能够高效地处理高功率负载,提高电源系统的效率和稳定性。

    2. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,FQPF7N65C用于驱动电机、继电器和其他高功率负载。其快速开关能力和高耐压特性使其能够在苛刻的工业环境中稳定运行。

    3. 消费电子:在电视机、音响系统、空调等家用电器中,FQPF7N65C作为功率放大器或开关元件使用,提供高效的功率传输和控制。

    4. 新能源设备:在太阳能逆变器和电动汽车充电桩等新能源设备中,FQPF7N65C用于功率转换和管理,支持高效的能量传输和转换。

    5. 通信设备:在无线通信基站和数据中心的电源系统中,FQPF7N65C用于稳压和功率分配,确保设备的可靠运行和高效功率管理。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:FQPF7N65C的漏源极耐压(V_DS)高达650V,使其能够在高电压环境中稳定运行,适用于需要高电压控制的应用场景。

    - 低导通电阻:FQPF7N65C的导通电阻(R_DS(on))较低,通常在几毫欧到几十毫欧之间,这有助于降低导通损耗,提高电路的整体效率。

    - 高开关速度:FQPF7N65C具有较快的开关速度,其栅极电荷(Q_G)和输入电容(C_iss)较低,使其能够快速响应开关信号,适合高频开关电源和高速开关应用。

    - 热性能优越:FQPF7N65C设计有较低的热阻(R_θJA),有助于在高功率条件下有效散热,确保器件的长时间可靠运行。

    - 耐用性和可靠性:FQPF7N65C采用先进的工艺技术制造,具有良好的耐用性和可靠性,能够在苛刻的工作环境中长期稳定工作。

    通过上述参数特点,FQPF7N65C在电源管理、工业控制、消费电子、新能源设备和通信设备等多个领域中表现出色,成为设计工程师们常用的功率MOSFET器件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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