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场效应MOS管FQPF7N60参数

PD最大耗散功率:48WID最大漏源电流:4.3AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF7N60是一款N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF7N60在开关电源中被用作主开关器件。由于其低导通电阻和快速开关速度,使其能够在高效能转换和能量传输中发挥关键作用。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQPF7N60用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高耐压和强电流承载能力,使其适用于各种类型的电机,包括直流电机和无刷电机。

    3. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FQPF7N60作为逆变器的核心元件,负责将直流电转换为交流电。其高效率和高可靠性在这些应用中尤为重要。

    4. 照明控制:FQPF7N60在LED照明和智能照明控制系统中用于调光和开关控制。其低导通电阻有助于减少功耗,延长LED的使用寿命。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQPF7N60被用作输出级的功率元件,提供高效率和高保真度的音频信号放大。

    二、参数特点:

    - 耐压:FQPF7N60的漏源电压(Vds)高达600V,这使得它在高压环境中具有极高的安全性和可靠性,适合用于需要高压驱动的电源和逆变器应用。

    - 导通电阻:其导通电阻(Rds(on))低至1.2Ω,这意味着在导通状态下,FQPF7N60的功耗较低,能够提高整体系统的效率。

    - 电流能力:FQPF7N60的连续漏极电流(Id)可达7A,短时脉冲电流能力更高,这使得它在大电流应用中表现出色,如电机控制和大功率逆变器。

    - 开关速度:由于其MOSFET结构,FQPF7N60具有非常快的开关速度,能够在纳秒级完成开关操作。这在需要快速响应的应用中,如开关电源和数字电路中,显得尤为重要。

    - 热性能:FQPF7N60的结温范围宽(-55°C到150°C),并且具有良好的热稳定性和散热能力,确保其在高温工作环境中依然保持可靠的性能。

    综上所述,FQPF7N60凭借其高耐压、低导通电阻、强电流能力、快速开关速度和优秀的热性能,成为多种高性能电子设备的理想选择。无论是开关电源、逆变器、电机驱动还是智能照明控制,FQPF7N60都能提供高效可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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