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场效应MOS管FQPF7N20参数

PD最大耗散功率:37WID最大漏源电流:4.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.69ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF7N20是一种场效应晶体管(FET),在许多电子设备中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:FQPF7N20常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。其高效的开关特性使其能够有效地调节电压和电流,从而提高整个系统的效率。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,FQPF7N20作为开关元件用于调节电机的速度和方向。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够在高性能电机驱动系统中发挥重要作用。

    3. 电池保护电路:在电池管理系统(BMS)中,FQPF7N20用于保护电池免受过充电和过放电的影响。其快速响应特性确保电池在各种操作条件下保持安全。

    4. 照明系统:FQPF7N20在LED驱动器和其他照明控制电路中也很常见。其高效的电流控制能力能够稳定LED的亮度,并延长其使用寿命。

    5. 音频放大器:在音频设备中,FQPF7N20被用作功率放大器的开关元件。其低噪声特性和高线性度确保音频信号的高保真度输出。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF7N20的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内。这意味着在导通状态下,电能损耗极低,有助于提高整个电路的效率。

    - 击穿电压(VDS):FQPF7N20的击穿电压高达200V,使其适合用于高压应用场景,能够承受较高的工作电压而不易损坏。

    - 漏极电流(ID):FQPF7N20的最大连续漏极电流为7A,这使其能够处理较高的电流负载,适合用于需要大电流的电源和电机驱动应用。

    - 栅极电荷(Qg):FQPF7N20的栅极电荷较低,这意味着其开关速度非常快,能够在高频操作下高效工作,减少开关损耗。

    - 热阻(RθJA):FQPF7N20的热阻较低,良好的散热性能使其能够在高功率应用中稳定工作,不易因过热而失效。

    综上所述,FQPF7N20凭借其低导通电阻、高击穿电压、大漏极电流、低栅极电荷以及良好的热性能,在电源管理、电机驱动、电池保护、照明系统以及音频放大器等领域得到广泛应用。FQPF7N20的多样化应用场景和优异的参数特点,使其成为电子工程师在设计高性能电路时的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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