PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:450VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):FQPF6N45因其低导通电阻和高耐压特性,常用于开关控制和电流调节环节。它能有效地转换电源电压,提高电源的整体效率和稳定性。
2. 电机驱动器:FQPF6N45能够处理较大的电流,因此常被用于电机驱动电路中,用于控制电机的启停和转速调节。这种应用中对MOSFET的高电流承载能力和快速开关速度有较高的要求。
3. 逆变器:在逆变器电路中,FQPF6N45的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想的选择。它可以有效地将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和不间断电源(UPS)中。
4. 电源管理系统:由于FQPF6N45的高电流承载能力和良好的热性能,它非常适合用于电源管理系统中,包括电池管理和功率分配模块,保证系统的高效能和可靠性。
5. 高频开关电路:FQPF6N45的快速开关速度和低开关延迟使其在高频开关电路中表现出色,如开关模式电源和射频放大器中,有助于提高电路的工作效率和响应速度。
二、参数特点:
- 高电流承载能力:FQPF6N45具有较高的最大漏极电流(ID),能够支持高达6A的电流负载。这使得它非常适合用于需要大电流的应用,如开关电源、逆变器和电机驱动器等。
- 低导通电阻:FQPF6N45在开关状态下具有较低的导通电阻(RDS(on)),仅为0.45Ω。这一特点可以显著减少功耗,提高系统的整体效率,尤其适合用于高频开关电路和功率转换器。
- 高耐压特性:该MOSFET的最大漏极-源极耐压(VDS)为45V,使其能够在较高电压环境下稳定工作。这种耐压能力使FQPF6N45在各种高压应用中表现出色,如DC-DC变换器和电源管理系统。
- 快速开关速度:FQPF6N45具有较快的开关速度和低的开关延迟,这有助于提高电路的响应速度和工作频率,适合高频率开关应用。
- 优秀的热性能:该MOSFET具有良好的热性能,其封装设计可以有效散热,确保器件在高功率条件下稳定工作,减少过热对性能的影响。
综上所述,FQPF6N45凭借其优良的电气特性和热性能,在多个高性能电子应用中展现出强大的优势。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器还是电源管理系统中,FQPF6N45都能提供可靠的性能支持。
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