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场效应MOS管FQPF6N40CF参数

PD最大耗散功率:38WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF6N40CF是一款高性能的场效应管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF6N40CF因其低导通电阻和高开关速度,非常适合用于开关电源中。它能够有效地提高电源转换效率,并且减少功率损耗,确保电源在高负载条件下稳定运行。

    2. 直流电机驱动:在直流电机驱动应用中,FQPF6N40CF的高耐压特性和低导通电阻使其能够处理高电流负载,保证电机在启动和运行过程中平稳、可靠地工作。

    3. 汽车电子:FQPF6N40CF在汽车电子系统中表现出色,尤其是在电动助力转向系统、车载充电器等应用中。其耐高温性能和高可靠性使得它能够在严苛的汽车环境中长期稳定工作。

    4. 电力转换器:在电力转换器中,FQPF6N40CF的快速开关特性和低开关损耗提高了系统的整体效率。它能有效地减少转换过程中的功率损耗和发热。

    5. 消费电子产品:在各种消费电子产品中,FQPF6N40CF被用于优化电源管理和电流控制。这包括智能手机、平板电脑等,确保这些设备在高负载情况下稳定工作。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(V_DS):FQPF6N40CF的最大漏源电压为400V,适合用于高电压电路,能够承受较大的电压波动而不发生击穿。

    - 最大持续漏极电流(I_D):其最大持续漏极电流为6A,这使得FQPF6N40CF能够处理较大的电流负载,同时保证高效的电流控制和稳定性。

    - 导通电阻(R_DS(on)):FQPF6N40CF的导通电阻较低,通常在0.4Ω以下,这有助于减少功率损耗和提高开关效率。

    - 栅源电压(V_GS):该器件的栅源电压可在±20V范围内操作,提供了较大的栅极驱动范围,增强了其在不同工作条件下的适应性。

    - 开关速度:FQPF6N40CF拥有较快的开关速度,使得其能够在高频应用中稳定工作,适用于高频率的开关电路设计。

    综上所述,FQPF6N40CF是一款性能优越的MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围,在电子电路中具有重要作用。无论是在电源管理、汽车电子还是消费电子产品中,FQPF6N40CF都能够提供可靠的性能支持。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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