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场效应MOS管FQPF6N25参数

PD最大耗散功率:37WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF6N25是一款高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电力转换领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF6N25在开关电源中作为高效开关元件使用,能够在高频开关操作中保持良好的开关特性,从而提高整体电源的转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动系统中,FQPF6N25用于控制电机的启动和运行,确保电机在不同负载条件下都能获得稳定的电源供应。

    3. DC-DC转换器:FQPF6N25在DC-DC转换器中作为开关元件,能有效转换不同电压等级的直流电源,提高转换效率和稳定性。

    4. 逆变器:在太阳能和风能发电系统中的逆变器中,FQPF6N25负责将直流电转换为交流电,确保能量转换的高效性和可靠性。

    5. 汽车电子:FQPF6N25还可用于汽车电子系统,如电池管理系统(BMS),帮助管理电池的充电和放电过程,提升电池的使用寿命和性能。

    二、参数特点:

    - 最大漏极源极电压(V_DS):FQPF6N25的最大漏极源极电压为25V,这使其适用于需要高电压耐受性的应用场景。

    - 最大漏极电流(I_D):该MOSFET的最大漏极电流为6A,能够满足中等功率需求的电路要求。

    - 最大功耗(P_D):FQPF6N25具有较高的功耗承受能力,可在高负荷运行时保持稳定的工作性能。

    - 栅源极电压(V_GS):FQPF6N25的栅源极电压范围适中,能够在常规驱动电压下正常工作,简化电路设计。

    - 开关速度:FQPF6N25具有较快的开关速度,使其在高频应用中表现优异,减少开关损耗,提高整体电路的效率。

    综上所述,FQPF6N25凭借其优良的电气性能和广泛的应用场景,在现代电子电路设计中扮演了重要角色。其高效能和可靠性使其成为许多电力转换和控制系统中不可或缺的组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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