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场效应MOS管FQPF5N80参数

PD最大耗散功率:47WID最大漏源电流:2.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:2.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF5N80是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQPF5N80常被用于高频变换器和整流器,能够有效提高功率转换效率,减少能量损耗。其高击穿电压和低导通电阻使其在高压应用中表现尤为出色。

    2. 电机驱动:在电机控制系统中,FQPF5N80用作开关元件,可以实现对电机的高效驱动和精确控制,适用于各种类型的电机如直流电机、步进电机和无刷电机。

    3. 照明系统:LED驱动电路是FQPF5N80的另一个重要应用领域。其高效率和高可靠性,使其在LED照明设备中,特别是大功率LED驱动电路中,被广泛采用。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQPF5N80作为主要开关器件,负责高效能量转换,确保系统在断电情况下能持续稳定供电。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,FQPF5N80负责将直流电转换为交流电,并且其高耐压特性使其在太阳能系统中能够承受较高的输入电压,确保系统运行的安全和稳定。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQPF5N80的击穿电压高达800V,这使得它在高压环境下能够可靠工作,不易击穿损坏,提供了更高的安全性和可靠性。

    - 低导通电阻:其导通电阻典型值为1.6Ω(V_GS = 10V),低导通电阻能够减少导通损耗,提高系统整体效率,特别适用于高效率的电源转换电路中。

    - 快速开关速度:FQPF5N80具有快速的开关特性,这有助于减少开关损耗,特别是在高频开关电源应用中,可以显著提高转换效率。

    - 高脉冲电流能力:其高脉冲电流能力使得FQPF5N80在需要处理高瞬时电流的应用中表现出色,如电机启动瞬间或高峰负载条件下的应用。

    - 耐高温性能:FQPF5N80具有优良的热稳定性,能够在高温环境下持续稳定工作,其结温高达150°C,有助于提高整体电路的耐用性和稳定性。

    综上所述,FQPF5N80作为一款高性能的N沟道功率MOSFET,在各类电源管理和转换电路中都能发挥其独特的优势。其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度、高脉冲电流能力和耐高温性能,使其成为许多高要求应用中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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