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场效应MOS管FQPF5N50参数

PD最大耗散功率:39WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.95AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF5N50是一款高压场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备中,尤其是在电源管理和开关电源领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF5N50在开关电源中发挥着关键作用。由于其高耐压能力和低导通电阻,它能够有效地控制电流的开关,提供稳定的输出电压,从而提高电源的效率和可靠性。

    2. 照明设备:在LED驱动器和荧光灯镇流器中,FQPF5N50常被用作主开关元件。其快速的开关速度和高效能使其在这些应用中能够提供高亮度和长寿命的照明效果。

    3. 电动工具:FQPF5N50也用于电动工具的电机驱动电路中。由于其高电流承载能力和耐高压特性,能够确保电动工具在高功率输出时仍保持稳定和高效运行。

    4. 工业控制系统:在工业控制系统中,FQPF5N50用于各种电机驱动和控制电路。其高耐压和高效率特性,使其在工业环境中能够可靠运行,承受较大的电流和电压波动。

    5. 消费电子产品:例如在电视、音响系统和家庭影院设备中,FQPF5N50被用作功率放大器和开关元件,确保设备具有高效能和低功耗。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDS):FQPF5N50的最大漏源电压为500V,这使其能够在高压环境下工作而不易损坏,非常适合用于需要高耐压的电源和控制电路中。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF5N50的导通电阻较低,这意味着在导通状态下,它的功耗较小,热量产生少,有助于提高整体电路的效率。

    - 最大漏极电流(ID):FQPF5N50具有5A的最大漏极电流,这使其能够处理较大电流,适用于需要高功率输出的应用场景,如电动工具和工业控制系统。

    - 栅极阈值电压(VGS(th)):FQPF5N50的栅极阈值电压在2V到4V之间,这表明其开启所需的控制电压较低,易于驱动,可以与低电压逻辑电路兼容。

    - 封装类型:FQPF5N50采用TO-220F封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性,适合安装在散热片上,以处理较大的热量。

    综上所述,FQPF5N50以其高耐压、低导通电阻和高电流承载能力,在各种电子设备和工业应用中都表现出色,是一款性能优异且可靠的高压MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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