PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:3.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.95AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,FQPF5N30用于高效能量转换。由于其低导通电阻和快速开关速度,可以减少开关损耗,从而提高电源的效率和可靠性。
2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FQPF5N30能够提供稳定的电流控制和驱动能力,适用于直流电机和步进电机等多种电机类型。
3. 光伏逆变器:在光伏系统中,FQPF5N30用于逆变器部分,帮助将直流电转换为交流电。其高耐压和高效特性使其在高功率应用中表现出色。
4. 消费电子产品:在消费类电子产品,如电视、电脑和音响系统中,FQPF5N30用作开关元件,提升了设备的能效和性能。
5. 电池管理系统:在电池充电和管理系统中,FQPF5N30用于控制充放电过程,确保电池的安全和长寿命。
二、参数特点:
- 漏源电压(VDS):FQPF5N30的最大漏源电压为300V,这使得它能够在高电压应用中工作,适用于需要高耐压的场合。
- 导通电阻(RDS(on)):其典型导通电阻为1.2Ω,低导通电阻确保了在开关状态下的功率损耗较小,提高了整体电路的效率。
- 漏极电流(ID):FQPF5N30的连续漏极电流为5A,能够处理中等功率负载,适用于大多数消费电子和工业控制应用。
- 栅极阈值电压(VGS(th)):其栅极阈值电压在2V至4V之间,保证了在较低电压下也能有效地开启和关闭MOSFET。
- 封装类型:FQPF5N30采用了常见的TO-220封装,方便安装和散热,适合需要良好热管理的应用。
综上所述,FQPF5N30在多种电力电子应用中表现优异,其参数特点确保了其在高效能量转换、稳定电流控制和高耐压需求方面的出色表现。
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