收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQPF5N30参数

场效应MOS管FQPF5N30参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:3.9AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.95AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQPF5N30是一种常用于电力电子设备中的场效应管(MOSFET),其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(SMPS)中,FQPF5N30用于高效能量转换。由于其低导通电阻和快速开关速度,可以减少开关损耗,从而提高电源的效率和可靠性。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,FQPF5N30能够提供稳定的电流控制和驱动能力,适用于直流电机和步进电机等多种电机类型。

    3. 光伏逆变器:在光伏系统中,FQPF5N30用于逆变器部分,帮助将直流电转换为交流电。其高耐压和高效特性使其在高功率应用中表现出色。

    4. 消费电子产品:在消费类电子产品,如电视、电脑和音响系统中,FQPF5N30用作开关元件,提升了设备的能效和性能。

    5. 电池管理系统:在电池充电和管理系统中,FQPF5N30用于控制充放电过程,确保电池的安全和长寿命。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):FQPF5N30的最大漏源电压为300V,这使得它能够在高电压应用中工作,适用于需要高耐压的场合。

    - 导通电阻(RDS(on)):其典型导通电阻为1.2Ω,低导通电阻确保了在开关状态下的功率损耗较小,提高了整体电路的效率。

    - 漏极电流(ID):FQPF5N30的连续漏极电流为5A,能够处理中等功率负载,适用于大多数消费电子和工业控制应用。

    - 栅极阈值电压(VGS(th)):其栅极阈值电压在2V至4V之间,保证了在较低电压下也能有效地开启和关闭MOSFET。

    - 封装类型:FQPF5N30采用了常见的TO-220封装,方便安装和散热,适合需要良好热管理的应用。

    综上所述,FQPF5N30在多种电力电子应用中表现优异,其参数特点确保了其在高效能量转换、稳定电流控制和高耐压需求方面的出色表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号