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场效应MOS管FQPF5N20L参数

PD最大耗散功率:32WID最大漏源电流:3.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:1.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF5N20L是一种常用于电源管理系统的场效应晶体管(MOSFET),其应用场景广泛,主要包括以下几个方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQPF5N20L用于高效的电能转换,其低导通电阻和快速开关速度能够显著提高电源的效率和性能。

    2. 电机驱动:FQPF5N20L常用于直流电机和步进电机的驱动电路中。其高电流处理能力和低损耗特性,使其成为电机驱动应用的理想选择。

    3. DC-DC转换器:在DC-DC转换器中,FQPF5N20L的高频特性和低导通电阻有助于实现更高效的电压转换和能量传递。

    4. 逆变器:在逆变器中,FQPF5N20L用于将直流电转换为交流电,其高效率和高可靠性保证了逆变器的性能和稳定性。

    5. 电池管理系统:FQPF5N20L在电池管理系统中用于控制充放电过程,确保电池的高效和安全使用。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF5N20L的导通电阻非常低,通常在0.1欧姆以下,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提高整体系统的效率。

    - 击穿电压(VDSS):FQPF5N20L的击穿电压为200V,这使其适用于需要高耐压能力的应用,如开关电源和逆变器。

    - 栅极电荷(Qg):FQPF5N20L的栅极电荷较低,这有助于降低驱动损耗,提高开关速度,从而提高系统的响应速度和效率。

    - 漏极电流(ID):FQPF5N20L的最大漏极电流为5A,能够满足大多数中等功率应用的需求,提供可靠的电流处理能力。

    - 封装类型:FQPF5N20L采用标准的TO-220封装,具有良好的散热性能和机械强度,适合各种工业和消费类电子设备的应用。

    综上所述,FQPF5N20L能够在各种应用场景中提供高效、可靠的性能,是电源管理和控制系统中不可或缺的关键元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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