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场效应MOS管FQPF4N90CT参数

PD最大耗散功率:47WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:4.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF4N90CT是一款具有高电压、高效率特点的场效应晶体管(MOSFET),在多个领域中得到广泛应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF4N90CT通常用于开关电源中的高压开关元件。由于其高击穿电压和低导通电阻,能够有效提升开关电源的转换效率,减少能量损耗,适用于计算机电源、通信设备电源等场合。

    2. 照明设备:在LED驱动电路中,FQPF4N90CT作为主开关管,能够提供稳定的电流输出,确保LED灯具的亮度和寿命。同时,其高效能特点有助于降低灯具的工作温度,提升整体性能。

    3. 电机驱动:在电机控制电路中,FQPF4N90CT常用于直流电机和无刷电机的驱动器件。其快速开关能力和高耐压性能,能够满足电机驱动中对快速响应和高可靠性的要求。

    4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,FQPF4N90CT用于逆变器的高压部分,能够有效地将直流电转换为交流电,并且保证系统的高效能和稳定性。

    5. 工业自动化设备:在各种工业自动化控制系统中,FQPF4N90CT作为核心开关元件,用于控制大功率设备的启停和调速,确保系统的高效运行和精确控制。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:FQPF4N90CT的击穿电压高达900V,能够承受高压环境中的工作需求,适合各种高压应用场合。

    - 低导通电阻:其导通电阻仅为4欧姆,能够在高电流条件下提供低损耗的导通路径,提升整体电路的效率。

    - 快速开关速度:FQPF4N90CT具备快速的开关能力,典型的开关时间为几十纳秒,适用于高频率开关电路中,有助于提高电路的工作效率和响应速度。

    - 高脉冲电流能力:该器件能够承受高达20A的脉冲电流,适用于需要处理大电流脉冲的应用场景,如电机驱动和电源管理。

    - 低栅极电荷:FQPF4N90CT的栅极电荷较低,约为70nC,使其在驱动时所需的能量较少,能够有效降低驱动电路的功耗,提高整体系统的效率。

    综上所述,FQPF4N90CT以其高击穿电压、低导通电阻、快速开关速度等优异特点,成为各类高压、高效能应用中不可或缺的核心元件,广泛应用于开关电源、照明设备、电机驱动、光伏逆变器和工业自动化设备等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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