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场效应MOS管FQPF4N90C参数

PD最大耗散功率:47WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:4.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF4N90C是一款场效应晶体管(MOSFET),具有多种应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源开关:FQPF4N90C作为功率MOSFET,可用于电源开关电路中,控制高功率设备的通断,如电机驱动、电源逆变器等。

    2. 电源管理:在电源管理电路中,FQPF4N90C可用于电压转换、电流控制等功能,实现有效的电源管理和节能。

    3. 照明控制:FQPF4N90C能够在照明系统中作为开关或调光器件,用于控制LED灯带、灯泡等光源的亮度和开关。

    4. 电动车控制:在电动车电控系统中,FQPF4N90C可用于电机驱动、电池管理等功能,提高电动车的性能和效率。

    5. 电子设备保护:作为过载保护、过压保护等电子设备保护电路中的关键元件,FQPF4N90C能够有效保护电路和设备不受损坏。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):FQPF4N90C具有较低的导通电阻,能够降低功率损耗和发热,提高效率。

    2. 高耐压(VDS):FQPF4N90C的耐压能力较高,适用于各种工作环境和电源系统。

    3. 快速开关速度:具有快速的开关特性,可以实现快速响应和精准控制。

    4. 低门极电荷(Qg):FQPF4N90C的门极电荷较低,有利于减小驱动电路的功耗和成本。

    5. 稳定可靠:经过严格的生产工艺和质量控制,FQPF4N90C具有稳定可靠的性能,适用于工业和商业领域的应用。

    综上所述,FQPF4N90C作为一款功率MOSFET,在电源、照明、电动车等领域有着广泛的应用,并且具有低导通电阻、高耐压、快速开关速度等特点,能够满足不同场景下的需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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