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场效应MOS管FQPF4N80参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.1AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF4N80是一款常用于电源管理和开关电路的N沟道MOSFET。由于其高耐压和低导通电阻的特性,广泛应用于以下几个领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQPF4N80常作为主开关器件,能够承受高电压并在低损耗的情况下实现高效能量转换。其快速开关特性有助于提高电源的整体效率和可靠性。

    2. 逆变器电路:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中,FQPF4N80能够处理高电压和大电流,确保能量的有效转换和传输。这些逆变器需要高可靠性和高效率的器件,而FQPF4N80正是理想选择。

    3. 电动汽车充电器:随着电动汽车的普及,对高效能充电器的需求不断增加。FQPF4N80在这种应用中能够提供高效、可靠的开关性能,确保电动车电池的快速和安全充电。

    4. LED驱动器:在高功率LED驱动器中,FQPF4N80的高压特性使其能够在高电压环境下稳定工作,提供稳定的电流输出,确保LED的亮度和寿命。

    5. 工业控制系统:在工业自动化和控制系统中,FQPF4N80用于驱动电机和执行器,其高耐压和高可靠性确保了系统的稳定运行和长寿命。

    二、参数特点:

    1. 耐压高达800V:FQPF4N80具有极高的耐压能力,适用于需要高压操作的电路。这一特点使其在高压电源和逆变器中广受欢迎。

    2. 导通电阻(RDS(on))低:其低导通电阻特性(通常为1.6Ω)减少了在开关过程中的损耗,提高了整体电路的效率。这对于高效能量转换至关重要。

    3. 门极阈值电压(VGS(th))范围:FQPF4N80的门极阈值电压范围为2-4V,适合各种驱动电路设计,能够与各种控制器兼容。

    4. 最大连续漏极电流:其最大连续漏极电流为4A,能够处理较大的负载电流,适用于大功率应用。

    5. 开关速度快:FQPF4N80具有快速的开关特性,极大地提高了开关电源和逆变器的效率,减少了开关损耗。

    通过这些详细的参数特点,FQPF4N80展示了其在高效、高可靠性应用中的优势。其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,使其在电源管理、工业控制和LED驱动等领域发挥了重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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