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场效应MOS管FQPF4N60参数

PD最大耗散功率:36WID最大漏源电流:2.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF4N60是一种高效能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在各种电源管理系统中,FQPF4N60常用作开关元件。这种器件具备高耐压和低导通电阻的特点,能够有效降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 开关电源:在开关电源中,FQPF4N60能够作为主要的功率开关管使用。其高速开关特性使其适合在高频环境中工作,从而实现更小的变压器和电感器设计,减小体积并提高效率。

    3. 逆变器:FQPF4N60在逆变器中也有广泛应用,特别是在光伏逆变器和不间断电源(UPS)中。其高压和高效率特性使其能够处理大功率转换任务。

    4. 电动工具:在电动工具中,FQPF4N60用于电机驱动电路。其高可靠性和高效能能够满足电动工具对性能和耐用性的要求。

    5. LED照明:在LED驱动电路中,FQPF4N60可以提供稳定的电流控制,确保LED灯具的长寿命和高亮度输出。

    二、参数特点:

    - 耐压高:FQPF4N60的漏源极耐压(Vds)高达600V,适合应用于高压环境中,提供更好的电压余量。

    - 低导通电阻:该器件的导通电阻(Rds(on))非常低,典型值为2.1Ω,这意味着在导通状态下功率损耗较小,能效更高。

    - 高脉冲电流能力:FQPF4N60具备高脉冲电流能力,最大峰值脉冲电流(Id)可达16A,这使其能够在高瞬时电流应用中稳定运行。

    - 高速度开关:该MOSFET具有快速的开关速度,能够在高频工作环境中有效运行,减少开关损耗,提高整体效率。

    - 热性能优良:FQPF4N60采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在高温环境下保持稳定运行,延长器件寿命。

    通过以上详细的介绍,可以看出FQPF4N60是一种性能优越且应用广泛的功率MOSFET,特别适合在高压、高效能要求的电路中使用。其高耐压、低导通电阻和优良的热性能,使其在各种应用场景中表现出色,为电子设备的高效能运行提供了可靠保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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