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场效应MOS管FQPF4N25参数

PD最大耗散功率:32WID最大漏源电流:2.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF4N25是一款高性能的场效应晶体管(MOSFET),其应用场景非常广泛,主要包括以下几个方面。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,FQPF4N25被广泛应用于主功率开关电路。其高效能的导通和关断特性,使其能够有效地减少功耗,提升电源的转换效率。

    2. 电机驱动:FQPF4N25适用于电机控制系统,尤其在需要高频开关操作的场合。其低导通电阻和高电流承载能力,确保了电机在高效运行时的稳定性。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,FQPF4N25常用作逆变器中的开关元件。其优良的电气性能可以提高太阳能转换效率,减少能量损耗。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQPF4N25作为核心开关元件,能够提供稳定的电力输出,确保关键设备在电力故障时的持续运行。

    5. 工业自动化设备:FQPF4N25在各种工业自动化设备中被广泛使用,例如PLC控制系统、机器人控制系统等,其高可靠性和长寿命特性,满足了工业应用的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 最大漏极-源极电压(Vds):FQPF4N25的最大漏极-源极电压为250V,这使其能够在较高电压环境下工作,适用于高压电源应用。

    - 最大漏极电流(Id):其最大漏极电流为4A,能够处理较大的电流负载,适合各种高功率应用场合。

    - 导通电阻(Rds(on)):在10V栅极-源极电压(Vgs)下,FQPF4N25的典型导通电阻为1.4Ω,导通电阻较低,降低了导通损耗,提升了整体电路效率。

    - 栅极-源极电压(Vgs(th)):FQPF4N25的栅极-源极阈值电压范围为2V到4V,确保了在较低的栅极驱动电压下能够有效开启。

    - 热阻(Rθjc):其结到外壳的热阻为62.5℃/W,具有良好的散热性能,能够在高温环境下保持稳定工作。

    综上所述,FQPF4N25凭借其出色的电气性能和可靠性,已成为诸多电力电子设备的首选器件。在设计应用中,选择FQPF4N25能够有效提升系统的整体性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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