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场效应MOS管FQPF3P20参数

PD最大耗散功率:32WID最大漏源电流:-2.2AV(BR)DSS漏源击穿电压:-200VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:-1.1AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQPF3P20是一种常用的P沟道MOSFET,具有广泛的应用场景,主要集中在以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQPF3P20用于功率变换和控制电流。其低导通电阻和高开关速度使其在高效能量转换中表现优异,特别是在需要高频开关的场合。

    2. 电机驱动:FQPF3P20可以用于电机驱动电路中,作为控制元件来调节电机的速度和方向。其出色的电流承载能力和耐压特性使其在这一领域非常可靠。

    3. 充电器和适配器:在各种便携式设备的充电器和适配器中,FQPF3P20用于控制充电过程,保证充电的稳定性和安全性。其高效能量管理特性使得设备在充电过程中减少能量损耗。

    4. 逆变器电路:在太阳能和风能等可再生能源系统中,FQPF3P20用于逆变器电路,帮助将直流电转换为交流电,确保电力传输的稳定和高效。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,FQPF3P20用作输出级的开关元件,其高线性度和低失真特性确保了音频信号的高保真度传输。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:FQPF3P20的导通电阻(RDS(on))非常低,这意味着在开通状态下,该器件可以传输大电流而不会产生大量的热量,从而提高了效率和可靠性。

    - 高击穿电压:该器件的击穿电压高达200V,这使得FQPF3P20能够在高压环境中安全运行,适用于多种高压应用场景。

    - 高开关速度:FQPF3P20具有快速的开关速度,能够在短时间内完成开关动作,这对于需要高频操作的电路非常重要,有助于减少开关损耗和提高整体效率。

    - 低栅极电荷:其低栅极电荷特性使得驱动FQPF3P20所需的能量较低,这不仅降低了驱动电路的复杂性,还提高了整体系统的能效。

    - 封装形式:FQPF3P20采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和使用,并且能够有效地保护器件免受外部环境的影响。

    综上所述,FQPF3P20凭借其出色的参数特点和广泛的应用场景,成为了电子设备设计中不可或缺的重要元件。无论是在开关电源、电机驱动,还是在充电器、逆变器及音频放大器中,FQPF3P20都展现了其优越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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