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场效应MOS管FQPF3N80C参数

PD最大耗散功率:39WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:4.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF3N80C是一款常见的场效应晶体管(FET),在电子设备中有着广泛的应用。它的参数特点和应用场景如下:

    一、参数特点:

    1. 低导通电阻(Rds(on)):FQPF3N80C具有较低的导通电阻,这意味着在导通状态时能够减少功率损耗,提高效率。

    2. 低门电荷(Qg):门电荷指的是控制晶体管导通的电荷量,FQPF3N80C的低门电荷使其在开关速度上有较好的表现,适用于高频应用。

    3. 高耐压(Vds):FQPF3N80C能够承受较高的漏极-源极电压,适用于在高电压环境下的电路设计。

    4. 低开启电压(Vgs(th)):开启电压是指控制晶体管导通所需的门-源电压,FQPF3N80C具有较低的开启电压,可以实现更低的功耗。

    二、应用场景:

    1. 电源开关:由于其低导通电阻和高耐压特性,FQPF3N80C常用于开关电源设计中,能够有效地控制电流流动,提高整体效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQPF3N80C可以作为电机控制开关,实现电机的启停和速度控制,同时减少能量损耗。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,FQPF3N80C可用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统、UPS系统等领域。

    4. 照明控制:用于LED照明系统中的调光控制,利用其高效的开关特性和低功耗特点,实现照明亮度的调节。

    5. 电源管理:在各种电源管理电路中,FQPF3N80C可以用作开关电源的关键组件,确保电源的稳定性和高效性。

    综上所述,FQPF3N80C具有低导通电阻、低门电荷、高耐压和低开启电压等参数特点,适用于电源开关、电机驱动、逆变器、照明控制和电源管理等多种应用场景。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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