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场效应MOS管FQPF33N10L参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:18AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.052ΩVRDS(ON)ld通态电流:9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF33N10L是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQPF33N10L通常用于功率变换器中作为开关器件,其低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地处理大电流和高频率的开关操作。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQPF33N10L可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承受能力和耐用性使其适合各种电机驱动应用。

    3. 逆变器:在太阳能光伏系统和不间断电源(UPS)中,FQPF33N10L被用作逆变器的主要开关器件。其高效的功率转换能力和稳定的性能能够保证系统的可靠性和效率。

    4. 功率放大器:FQPF33N10L也被广泛应用于音频和射频功率放大器中,能够提供高线性度和低失真度的放大效果。

    5. 电池管理系统:在锂离子电池管理系统中,FQPF33N10L用于充电和放电控制,确保电池的安全性和寿命。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):FQPF33N10L的最大漏源电压为100V。这意味着它可以在高达100V的电压下工作,适用于高电压应用场景。

    - 导通电阻(RDS(on)):FQPF33N10L的导通电阻非常低,仅为0.042Ω(在VGS=10V时)。低导通电阻能够减少功率损耗,提高电路效率。

    - 漏极电流(ID):其最大连续漏极电流为33A,能够处理高电流负载,适合高功率应用。

    - 栅极电荷(QG):FQPF33N10L的总栅极电荷为67nC。这使得它能够快速响应输入信号,实现高速开关。

    - 热性能:FQPF33N10L的结温范围为-55°C至175°C,具有良好的热稳定性和耐高温性能,适合在恶劣环境下工作。

    综上所述,FQPF33N10L的这些参数和特点使其在需要高效率、可靠性和耐用性的应用中表现出色。其广泛的应用场景和优异的性能使其成为电子工程师和设计师的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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