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场效应MOS管FQPF32N20C参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:28AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.082ΩVRDS(ON)ld通态电流:14AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF32N20C是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子和电气设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源(如适配器、充电器和电源模块)中,FQPF32N20C通常用作主开关管,其高效的开关性能和低导通电阻,使其能够有效地转换电能,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在电动工具、电动汽车和家电的电机控制中,FQPF32N20C可以用来驱动直流电机和步进电机。它能够提供大电流和高电压的驱动能力,同时保证系统的稳定性和可靠性。

    3. 逆变器和变频器:在光伏逆变器和工业变频器中,FQPF32N20C常用于高频高效的电能转换。其耐高压和高效的开关特性,使其能够在复杂的电能转换环境中保持高效运行。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统的电池管理中,FQPF32N20C被用于电池充放电的控制。它的高可靠性和低导通损耗,确保了电池管理系统的高效和安全运行。

    5. 音频放大器:在高保真音频放大器中,FQPF32N20C可以用作输出级的功率放大元件。其低失真和高线性度,有助于提供清晰和高质量的音频输出。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQPF32N20C的漏源极电压(Vds)最高可达200V。这使其能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高电压操作的设备和系统。

    - 导通电阻:该型号的导通电阻(Rds(on))为0.18Ω(最大值),在高电流下能保持低损耗,有助于提高系统的整体效率。

    - 电流能力:FQPF32N20C的连续漏极电流(Id)为32A,使其能够承受较大的电流负载,适用于高功率的应用场景。

    - 栅极电荷:栅极电荷(Qg)为85nC(典型值),较低的栅极电荷使其能够快速开关,从而提高开关效率并减少开关损耗。

    - 封装类型:FQPF32N20C采用TO-220封装,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性,便于安装和散热管理。

    综上所述,FQPF32N20C凭借其高耐压、高电流能力和低导通电阻,在开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统和音频放大器等领域得到了广泛应用。其优越的电气性能和可靠性,使其成为这些应用中不可或缺的重要元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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