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场效应MOS管FQPF2P40参数

PD最大耗散功率:28WID最大漏源电流:-1.34AV(BR)DSS漏源击穿电压:-400VRDS(ON)Ω内阻:6.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:-0.67AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-3~-5VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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    FQPF2P40是一款功率MOSFET,主要应用在各种电子设备和电力系统中。其具体应用场景包括但不限于以下几个方面。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF2P40常用于开关电源(SMPS)中,利用其高效的开关特性,可以在高频率下稳定工作,从而提高电源的转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FQPF2P40能够提供可靠的电流控制,适用于各种电机控制器,包括无刷直流电机和步进电机。

    3. 电池管理系统:在电动汽车和便携式设备的电池管理系统中,FQPF2P40用于电池充放电控制,以确保电池的安全性和寿命。

    4. 逆变器和转换器:FQPF2P40在逆变器和DC-DC转换器中广泛应用,尤其是在太阳能和风能发电系统中,其高效的电能转换能力显得尤为重要。

    5. 音频放大器:在高保真音频设备中,FQPF2P40用于音频放大电路,提供低失真、高效率的放大效果,确保音质的纯净和真实。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQPF2P40的漏源极耐压(VDSS)为400V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,适用于高压电源和工业控制系统。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(RDS(on))为2.0Ω,在较低的门极驱动电压下依然能够提供高效的导通性能,减少功耗。

    - 电流能力:FQPF2P40的连续漏极电流(ID)为2A,脉冲漏极电流(IDM)为8A,这使得它能够在高峰值电流需求的应用中表现出色。

    - 开关速度:该型号的开关速度快,具备较短的开通时间和关断时间,适合高频开关电路,能够有效提高系统的响应速度和效率。

    - 封装类型:FQPF2P40采用TO-220封装,这种封装方式具有优良的散热性能和机械强度,便于安装和散热管理,适合功率密度较高的应用场景。

    综上所述,FQPF2P40凭借其优良的电气特性和高效的性能,广泛应用于多种电子设备和电力系统中,成为许多工程师在设计高性能电路时的首选器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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