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场效应MOS管FQPF2N90参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:1.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:900VRDS(ON)Ω内阻:7.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF2N90是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),常用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:FQPF2N90在开关电源中用作主要的开关元件。它能够有效地控制电流和电压,提高电源的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,FQPF2N90可以作为电机的开关装置,通过控制电流来驱动电机的转动,适用于各种类型的直流和交流电机。

    3. 逆变器:FQPF2N90在逆变器电路中用于将直流电源转换为交流电源,常见于太阳能电池板系统和电动车充电器中。

    4. 功率放大器:作为功率放大器的输出级驱动器,FQPF2N90能够处理大功率信号并驱动负载,常见于音频放大器和RF功率放大器中。

    5. 电源管理:FQPF2N90在各种电源管理电路中,如电池充放电管理和稳压电路中,能够有效地控制和管理电源输出。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(R_DS(on)):FQPF2N90具有较低的导通电阻,有助于减少功耗和提高效率。

    2. 高耐压能力(V_DS):FQPF2N90具有较高的漏极-源极耐压能力,适合在高电压环境下稳定工作。

    3. 高开关速度:FQPF2N90具有快速的开关速度和响应时间,适合于高频开关电路和快速响应要求的应用场景。

    4. 良好的温度稳定性:FQPF2N90具有良好的温度特性,能在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能。

    5. 可靠性和长寿命:FQPF2N90具有优良的可靠性和长期稳定性,适合于长时间和高负载工作环境。

    综上所述,FQPF2N90作为一款高性能的N沟道场效应晶体管,适用于多种需要高效能、高稳定性和高可靠性的电源管理和开关电路应用中。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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