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场效应MOS管FQPF19N20C参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:19AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.17ΩVRDS(ON)ld通态电流:9.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF19N20C是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),常用于功率电子设备和各种电源电路中。它具有许多突出的参数特点,适用于多种应用场景。

    一、应用场景:

    1. 功率放大器:FQPF19N20C的高功率特性使其成为功率放大器的理想选择。其低导通电阻和高开关速度保证了在功率放大器中的高效能和稳定性。在音频放大器、射频功率放大器等设备中广泛应用。

    2. 开关电源:在开关电源中,FQPF19N20C的低导通电阻和高频响应特性使其能够有效地控制电源开关,实现高效率的能量转换。它常用于直流-直流(DC-DC)变换器、电源逆变器等场合,提供稳定可靠的电源输出。

    3. 电机驱动:由于其低导通电阻和快速开关速度,FQPF19N20C非常适合用于电机驱动器中。它可以控制电机的启停和速度,实现精确的电机控制,广泛应用于工业自动化、机器人、电动汽车等领域。

    4. 电源管理:在电源管理领域,FQPF19N20C可用于稳压器、稳流器、电池管理等电路中,确保电源系统的稳定性和高效性。其高功率特性和低功耗使其成为电源管理领域的理想选择。

    5. 太阳能逆变器:随着太阳能技术的发展,太阳能逆变器需要高效、可靠的功率器件来转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。FQPF19N20C的高功率特性和稳定性使其成为太阳能逆变器中的重要组成部分,提高了太阳能系统的整体效率和性能。

    二、参数特点:

    1. 高功率特性: FQPF19N20C具有高功率处理能力,适用于各种功率电子设备和电源电路。

    2. 低导通电阻:其低导通电阻确保了在导通状态下的低功耗和高效率。

    3. 快速开关速度:FQPF19N20C具有快速的开关速度,有助于提高系统的响应速度和稳定性。

    4. 稳定性:在各种工作条件下,FQPF19N20C都能保持稳定的性能,确保系统的可靠运行。

    5. 多种封装:可供选择的多种封装类型,包括TO-220、TO-220F等,满足不同应用场景的需求。

    综上所述,FQPF19N20C作为一款性能优越的MOSFET,广泛应用于功率电子设备、电源电路、电机控制等领域,为各种应用场景提供了稳定可靠的功率控制和管理解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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