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场效应MOS管FQPF17N40参数

PD最大耗散功率:56WID最大漏源电流:9.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.75AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    FQPF17N40是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,FQPF17N40常被用作开关元件,其高耐压和低导通电阻特点使其能够高效地转换和传输电能,显著提高电源的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:FQPF17N40适用于各种电机驱动电路,尤其是在直流电机驱动中,其高速开关特性和强大的电流处理能力可以确保电机平稳启动和运行。

    3. 逆变器:在逆变器电路中,FQPF17N40的高耐压能力使其能够有效地处理高压输入,并将其转换为稳定的输出电压,广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。

    4. 照明控制:FQPF17N40在照明控制系统中,用于调节灯光的亮度和开关操作,尤其是在LED照明系统中,其高效的功率转换和散热能力能够延长灯具寿命并提高能效。

    5. 音频放大器:在音频放大器中,FQPF17N40作为功率放大器的核心元件,其高线性度和低失真特点能够提供高品质的音频输出。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:FQPF17N40的漏源极电压(Vds)高达400V,这使其能够在高压环境中安全可靠地工作,适用于各种需要高耐压的电路设计。

    - 导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.47Ω,在相同电流下可以减少功耗,降低热损失,显著提高整体电路的效率。

    - 电流处理能力:FQPF17N40的连续漏极电流(Id)可达17A,使其能够处理较大的电流负载,适用于需要大电流的应用场景,如电机驱动和功率放大器。

    - 开关速度:其开关速度非常快,典型的开关时间(ts)在纳秒级别,确保在高频开关应用中具有低开关损耗和高效率。

    - 热性能:FQPF17N40的结温范围广(-55°C到150°C),并且具有良好的热阻特性(热阻Rθjc为1.25°C/W),能够在高温环境下稳定工作,提供良好的热管理性能。

    综上所述,FQPF17N40是一款性能优越且应用广泛的功率MOSFET,在电源管理、开关电路和高压高频应用中表现尤为出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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