收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管FQPF16N25C参数

场效应MOS管FQPF16N25C参数

PD最大耗散功率:43WID最大漏源电流:15.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    FQPF16N25C是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其应用广泛,尤其是在电源管理和转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):FQPF16N25C常用于开关模式电源(Switch Mode Power Supply)中,作为高效开关元件。它能够在高频率下快速切换,减少了能量损失,提高了电源的整体效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,FQPF16N25C用于控制电机的启动和停止。其高电流承载能力和快速响应时间,使得电动工具能够在高负载条件下稳定运行。

    3. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,FQPF16N25C用于电池充放电管理和逆变器电路中,确保在停电时能够快速切换到电池供电,保证设备的持续运行。

    4. 电动汽车(EV)充电器:FQPF16N25C在电动汽车充电器中应用广泛,主要用于充电电路的高效能量转换,确保充电过程中的能量损失最小化。

    5. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FQPF16N25C被用于逆变器电路,负责将直流电转换为交流电,并提高系统的转换效率。

    二、参数特点:

    - 漏源电压(VDS):FQPF16N25C的最大漏源电压为250V。这意味着它能够承受高达250伏特的电压差,适用于高压环境。

    - 漏极电流(ID):该器件的最大连续漏极电流为16A,使其能够处理较大的电流负载,非常适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):FQPF16N25C的典型栅极电荷为48nC。较低的栅极电荷意味着它可以在较低的栅极驱动电流下快速切换,从而提高系统效率。

    - 导通电阻(RDS(on)):该器件的典型导通电阻为0.18Ω。这种低导通电阻在导通状态下减少了功率损耗,提升了效率。

    - 封装类型:FQPF16N25C采用TO-220封装,这种封装形式提供了良好的散热性能和机械强度,使其能够在高功率应用中可靠运行。

    综上所述,FQPF16N25C作为一款高性能的N沟道MOSFET,具有多种应用场景和显著的参数特点。这些特性使得FQPF16N25C在各种需要高效能量转换和高电流处理的应用中得以广泛应用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号